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JOB ID：49901

非公開求人
非公開求人
給与 450万円 〜 1000万円
業種
勤務地 石川県
業務内容 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。
福利厚生 / 待遇 寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
勤務時間 ８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり