JOB ID:49897
給与 | 450万円 〜 1000万円 |
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業種 | |
勤務地 | 福岡県 |
業務内容 | ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)・試作・性能評価・解析・量産立上業務対象デバイスは次のとおり①IGBT、ダイオード、パワーモジュール②アイソレーションデバイス・半導体リレー③パワーMOSFET④小信号デバイス。特にMOSFET⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC。 |
福利厚生 / 待遇 | 寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり |
勤務時間 | 8:00~16:45(休憩1時間、所定労働時間7時間45分) ※平均残業時間:20h程度 ※会社/事業所により異なる場合があります ※フレックスタイム制度あり ※在宅勤務制度あり |