JOB ID：118561
非公開求人
非公開求人
| 給与 | 600万円 〜 1200万円 |
|---|---|
| 業種 | メーカー |
| 勤務地 | 北海道,海外 |
| 業務内容 | 2nm世代、およびBeyond 2nm先端ロジック開発における、最先端CMOSトランジスタを中心としたデバイスを開発する業務を担って頂きます。 ・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセスの提案と、その実行をプロセス部門と進める。 ・実験水準提案、デバイス特性を測定解析、その結果をプロセス開発にフィードバックして改善を進める。 ・各種デバイスパラメター取得し、設計環境部門協力してFEOL設計環境の構築を行う。 ＊対象とするデバイスはCMOSトランジスタの他に、アナログデバイス（受動素子やESDデバイス含む）やSRAMも含みます。 |
| 応募資格 | 必須スキル・経験 必要スキル： ・トランジスタ開発について２年以上の経験を有する方。または、大学で研究経験のある方。 歓迎スキル・経験 ・プロセス開発の経験 ・TEG設計の経験 ・TEG測定評価・解析の経験 ・デバイスパラパラメータ抽出の経験 ･デザインルール設定の経験 ・プロセス部門、設計環境部門と連携して業務を行った経験 求める人物像 ・大卒以上の実務・研究等の経験者（3年以上）または大学院（博士課程）修了以上 ※修了見込含む ・人とのコミュニケーションを苦手としない人 ・個の活躍に加えてチームプレイもできる人 必要資格・ライセンス 必要言語・レベル TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力 日本語 JLPT：N3取得済み、もしくは同等程度の語学力 |
| 福利厚生 / 待遇 | ・健康保険 ・厚生年金 ・雇用保険 ・労災保険 |
| 勤務時間 | フレックスタイム制 1日の標準労働時間 7時間30分 ※標準労働時間帯9:00～17:30 ※コアタイム無し |
| 休日休暇 | 完全週休2日制（土日、祝） 【年間休日】 128日 【休暇制度】 年末年始休暇 創立記念日（8月10日） 年次有給休暇（初年度6日～10日、勤続年数に応じて最大20日） |