JOB ID:118290
| 給与 | 600万円 〜 1000万円 |
|---|---|
| 業種 | メーカー |
| 勤務地 | 北海道 |
| 業務内容 | 2nm世代、及びBeyond 2nmの先端ロジック開発における主にフロントエンドの業務を担っていただきます。 ・シリコンウェハー洗浄、CMP、イオン注入、熱処理、成膜のいずれかの工程に関する技術開発・改善 ・装置・材料メーカーや社内部門(デバイス、プロセスインテグレーション、TEGレイアウト設計、生産技術)と連携し、効果的な技術開発をリード ・新規プロセスの評価、歩留まり改善、量産移行に向けた課題解決 |
| 応募資格 | 必須スキル・経験 ・以下いずれかの工程に関するプロセス開発経験 - シリコンウェハー洗浄工程 - CMP工程 - イオン注入工程 - 熱処理工程 - 成膜工程 ・TOEICで600点以上もしくは同等程度の英語力 ・JLPTでN3、もしくは同等程度の日本語力 必要言語・レベル ・TOEICで600点以上もしくは同等程度の英語力 ・JLPTでN3、もしくは同等程度の日本語力 |
| 福利厚生 / 待遇 | ・通勤手当 ・残業手当 ・健康保険 ・厚生年金 ・雇用保険 ・労災保険 |
| 勤務時間 | フレックスタイム制 1日の標準労働時間 7時間30分 ※標準労働時間帯9:00~17:30 ※コアタイム無し |
| 休日休暇 | 完全週休2日制(土日、祝) 【年間休日】 120日 【休暇制度】 年末年始休暇 創立記念日(8月10日) 年次有給休暇(初年度6~10日、勤続年数に応じて最大20日) |