アカリクキャリア

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JOB ID：116510

非公開求人

給与	500万円〜 1100万円
業種
勤務地	兵庫県
業務内容	●職務内容光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ≪具体的には≫ ■業務内容例 ● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長　・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長　・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整　・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御など） ● 薄膜の評価および解析　・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）　・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化　・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析 ● エピ成長条件の最適化と再現性向上　・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）　・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討　・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化　・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理 ● 新規材料／構造のプロセス開発　・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発　・新デバイス用途への新規材料展開将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。
応募資格	●必須・工学系修士以上または同等の専門知識・スキルを有する方・化合物半導体（InP, GaAs, GaNなど）の結晶成長・評価経験に関する実務または研究（3年以上）・MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計経験・物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識 ●歓迎要件・光通信デバイス、高周波デバイスなどの開発経験・成膜・エッチング・評価など周辺プロセスの知識・英語スキル（論文調査、海外メーカーとの技術ディスカッションなど）・Python等を用いたデータ解析やプロセス制御スクリプト経験 ●求める人物像・結晶成長という“モノづくりの源”に情熱を持ち、原子レベルでの品質改善に挑戦できる人。・現場・技術・人をつなぐリーダーシップを発揮し、チームの成果に責任を持てる人。・新しい技術領域に自ら踏み込み、論理的に課題を解決できる人。・一緒に働く人だけでなく、関わる全ての人への心遣いや配慮ができる人。
福利厚生 / 待遇	■退職金：有 ■社会保険：雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険 ■福利厚生：寮、社宅、家賃補助制度、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、社員互助会、保養所、契約リゾート施設、スポーツ施設、資格取得支援など
勤務時間	■就業時間：8:30～17:00 ■所定労働時間：7時間45分（休憩45分） ■フレックスタイム制：有 ■コアタイム：なし残業時間：月平均20時間/繁忙期35時間
休日休暇	■年間休日：126日（2025年度）　※内訳：土曜/日曜/祝日、GW、夏季、年末年始など（会社カレンダーに準じる） ■年次有給休暇：20日～25日　※入社時より付与。付与日数は入社日により変動（4～20日）。 ■その他：チャージ休暇2～4日（30歳、40歳、50歳到達年）