JOB ID:116170
| 給与 | 500万円 〜 800万円 |
|---|---|
| 業種 | 官公庁・公共サービス |
| 勤務地 | 大阪府 |
| 業務内容 | 新素材「トポロジカル物質」を活用した半導体メモリ(MRAM)の研究開発を行う当社にて、メモリの回路設計、レイアウト、回路評価をご担当いただきます。 ■次世代メモリ(MRAM)の回路設計 ■メモリ技術アーキテクチャー設計 ■レイアウト設計 ■回路評価(ウエハレベル評価含む) ■MTJの開発・性能向上 【仕事の魅力】東大発の最先端技術を用い、GX(社会課題解決)に直結する次世代メモリ開発のコアを担えます。シリーズA調達済の成長フェーズです。 【将来的に】チームマネジメントも担っていただきたいです。 |
| 応募資格 | 【必須】いずれかお持ちの方 ■メモリ設計技術(DRAM、MRAM等) ■電源設計技術 ■IF系設計技術 ■メモリ評価・信頼性評価技術 【歓迎】学会発表(国際、国内)、論文投稿の経験 ■学歴 大学 大学院 【当社の魅力】 当社は「トポロジカル物質」の社会実装を目指す東大発ディープテック・スタートアップです。J-Startup選定やNEDOのGX事業採択など、国からも高い期待を受けています。 働き方としては、コアタイムなしのフルフレックスタイム制を導入。デスクワークの日はテレワークも可能です。平均残業は月20時間程度、年間休日は120日と、先端技術の研究開発に集中しながらも、自律的に働ける環境を整備しています。 |
| 福利厚生 / 待遇 | 標準労働時間帯:09:00~18:00 仕事内容の変更の範囲:将来的に、ご本人の適性により当社業務全般に変更の可能性があります。 就業場所の変更の範囲:当社拠点 出張頻度:本社へ年に数回程度 |
| 勤務時間 | ■所定労働時間 08時間00分 休憩60分 ■フレックスタイム制 有 コアタイム:無 ■残業 有 平均残業時間:20時間 ■残業手当 有 残業時間に応じて別途支給 |
| 休日休暇 | 年間120日 内訳:完全週休二日制、土曜 祝日 ■有給休暇 入社直後10日 最高付与日数20日 |