JOB ID:112702
| 給与 | 580万円 〜 855万円 |
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| 業種 | |
| 勤務地 | 山形県 |
| 業務内容 | <組織のビジョン・ミッション/活動方針> 「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素社会実現に大きく貢献するSiC単結晶(SiCパワー半導体に必須の材料)の製造で社会に貢献していきます。また、社内においても本事業は今後の躍進を強く期待されており、会社としても中核になりうる事業です。新規生産プラントの立ち上げを通じてレゾナックブランドのSiC単結晶基板・エピウェハー、およびそれを使ってくださるお客様の価値を最大化し、価値共創を一緒に成し遂げていきましょう。 <業務概要> 2026年に新設する山形生産・技術センターにおいて、SiCエピウェハーの製造工程に関わる製造技術開発の担当者として、業務をお任せいたします。 主にエピウェハー工程の改善改良、新規設備導入・立上げ、製造条件検討となりますが、業務詳細の記載範囲のなかから一部を担当いただきます。 周囲には製造技術エンジニアが多数おりますので、サポートをもらいながら徐々に担当範囲を広げていくイメージです。 <業務詳細> ・エピウェハーのプロセス設計および開発 ・エピウェハーの生産技術開発 ・目指すプロセスを実現するための部材設計 ・エピウェハーの評価技術開発および検査プロセス開発 ・新規装置導入、立ち上げ (エピ装置、検査装置、洗浄機など) <配属部署> デバイスソリューション事業部SiC統括部山形生産・技術センター(仮称) ※OJT時は「デバイスソリューション事業部 SiC統括部 市原生産・技術センター」となります。 |
| 応募資格 | <必須> ・特定の製品を対象にした技術開発、プロセスエンジニア等の経験 ・データ分析・解析に関する知識 <歓迎> ・半導体製造プロセスにおける業務経験、知識 ・CVD、エピタキシャル成長プロセスに関する知識、経験 ・新規装置導入、装置改良等に関する業務経験 ・学会での発表経験もしくは特許出願経験 ・品質管理関係資格(QC検定など) ・安全関係資格(酸欠、有機溶剤、危険物取扱など) ・工程管理に関する知識(QC7つ道具、シックスシグマ など) ・トラブル分析に関する知識(なぜなぜ分析、4M5E分析 など) ・JIS製図に関する知識(読み・書き) ・英語(TOEIC 500点相当以上) <求める人物像> ・新しいチャレンジにポジティブに取り組める方 ・生産や開発の成果にコミットする強い意思を持って働ける方 ・技術課題に粘り強く取り組むことができる方 |
| 福利厚生 / 待遇 | 時間外手当、通勤手当、家賃補助、ライフサポートプレミアム、育英補助、在宅勤務手当、慶弔給付、災害補償 等 ※会社規定に基づき、条件該当者に支給 ※ライフサポートプレミアムとは:資産形成や不時への備えへの「自助化促進原資」と位置付けており、個人のニーズに合った商品を選択可 選択可能商品/団体積立年金、確定拠出年金拠出、GLTD個人上乗せ補償、医療保険、生命保険、損害保険 等 ※育英補助とは:扶養家族である満22歳未満の子を有する社員に子一人あたり10,000円/月支給する手当(上限なし) ◇その他、退職金有:確定給付企業年金制度(DB)、確定拠出型年金制度(DC) ※2026年1月~確定拠出企業年金に1本化予定であり、現在社内手続き中。 |
| 勤務時間 | 標準時間:8:30 ~ 17:15 所定労働時間 :7時間45分 休憩時間 :60分(12:00~13:00) ※フレックスタイム制:あり(コアタイムなし) ※山形生産・技術センターはこれから立ち上がる拠点のため未定です。 |
| 休日休暇 | 年間休日123日 完全週休2日制 祝日、年末年始、年次有給休暇(会社指定行使日5日/年あり)、サポート休暇、特別休暇 ※その他休暇: 産前産後休業、配偶者出産休暇、結婚休暇、忌慰休暇、 公用休暇、罹災休暇、転勤休暇、リフレッシュ休暇、介護休暇、子の看護休暇、不妊治療休暇、母性健康管理休暇、アディショナル休暇、公傷休業等 |