JOB ID:111431
給与 | 500万円 〜 1000万円 |
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業種 | メーカー |
勤務地 | 茨城県 |
業務内容 | シリコン/SiC/GaNに代わる「究極の半導体」と言われるダイヤモンド半導体の世界初の社会実装に向けて,ダイヤモンド半導体のMMIC・パワーアンプの設計開発を主に担当いただきます。 ■高周波デバイスのパッケージング・システム化に向けた設計 ■RFのEDAツールを使用し,設計プロセスを効率化 ■高周波トランジスタや受動素子のモデリング ■プロジェクトの進行管理 【ダイヤモンド半導体とは】 ・高温環境/高放射線環境への耐性が高く,高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり,シリコン/SiC/GaNに代わる「究極の半導体」と言われています。 ・宇宙領域/次世代携帯基地局等での活用が期待されています。 |
応募資格 | 【必須】 デバイスにおけるMMIC・パワーアンプの設計開発経験 ※材料はGaNがベスト。GaAs/SiGe/LDMOSの経験がある方も検討可能です。 |
福利厚生 / 待遇 | <各手当・制度補足> 通勤手当:会社規定に基づき支給 社会保険:完備 <その他補足> ■自転車通勤可 ■服装自由 ■ストックオプション制度あり |
勤務時間 | 09:00~18:00(所定労働時間8時間) 【休憩】60分 【残業】有 【備考】固定残業代の相当時間:45.0時間/月 |
休日休暇 | 完全週休2日制(休日は土日祝日) 年間有給休暇10日~20日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります) 年間休日日数120日 |