JOB ID:108315
給与 | 400万円 〜 800万円 |
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業種 | メーカー |
勤務地 | 北海道,東京都 |
業務内容 | 2nm世代、および Beyond 2nm 先端ロジック開発・製造における、デバイスの開発、デバイス・回路・製品の信頼性に関する業務を担っていただきます ・トランジスタ特性向上のための構造およびプロセスの最適化 ・デバイス測定の環境構築、測定、解析、その結果のフィードバック ・各種デバイスパラメターを取得し、設計環境部門と協力してモデル構築 ・信頼性評価のための評価プログラムの作成、測定、解析 ・開発完了時における Qualification の実施 *対象とするデバイスはCMOSトランジスタの他に、アナログデバイスやSRAMも含みます |
応募資格 | 【必須スキル】 下記いずれかの経験がある方 ・MOSFET 開発について2年以上の経験を有する方。 ・パラメトリックテスター・プローバーを用いた電気特性の測定・評価ができる方 ・要素信頼性、製品信頼性評価のいずれかでの経験がある方 ・解析ソフトを使用したデータ分析・解析の経験のある方 【歓迎するスキル】 ・CMOS 技術開発の経験のある方 ・測定テストプログラミングの経験 ・Python/JMP/Spotfireなどの使用経験 |
福利厚生 / 待遇 | ・通勤手当 ・残業手当 OJTでの研修教育を想定 |
勤務時間 | フレックスタイム制(フルフレックス) ※1日の標準労働時間 7時間30分 ※標準労働時間帯 9:00~17:30(休憩60分) |
休日休暇 | ・完全週休2日制(土・日)、国民の祝日 ・年次有給休暇(20日 入社初年度は入社した月に応じる日数の年次有給休暇を付与する) ・創立記念日(8/10) ・年末年始休暇 ・慶弔休暇 ・産前・産後休暇 ・育児休暇 ・介護休暇 ※年間休日 120日 |