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JOB ID：108043
非公開求人
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| 給与 | 820万円 〜 1300万円 |
|---|---|
| 業種 | メーカー |
| 勤務地 | 茨城県 |
| 業務内容 | 【業務内容】 以下に例示する化合物半導体製造技術の開発業務を担当。ご経験やご希望などを踏まえて担当業務をご提案します。 ・化合物半導体の結晶成長技術の開発、プロセスおよび装置の設計 ・化合物半導体のウエハ加工技術の開発 ・化合物半導体の結晶およびウエハの評価と解析。検査技術の開発 【配属部署の紹介】 高速モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造及び技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。当社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。 |
| 応募資格 | 【必須条件】 ・経験職種（年数）・経験内容：化合物半導体の結晶成長、成膜、加工の少なくともいずれかの技術開発経験 【歓迎要件】 ・専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学 ・経験職種（年数）・経験内容：GaNの結晶成長、またはGaNのウエハ加工の技術開発経験 ・語学力：英語 |
| 福利厚生 / 待遇 | 通勤費補助制度、退職給付制度、独身寮、単身赴任寮、カフェテリアプラン、介護支援金、弔慰金、団体保険 等 その他：社内公募制度、キャリアチャレンジ制度、勤務地継続制度、勤務地希望制度 ※勤務地継続制度は管理職のみ |
| 勤務時間 | ■勤務時間：8:30-17:15定時、12:00-13:0休憩、フレックス制度あり ■時間外労働：あり |
| 休日休暇 | ■公休日：土曜日、日曜日、国民の祝日、年末年始、その他 ■休暇：年次有給休暇、特別休暇（忌引、結婚等）、積立年次有給休暇 等 |