[生産技術/プロセス開発(電気/電子/半導体)]の求人検索結果

サイト公開求人92件中

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JOB ID: 42422非公開求人

【第二新卒歓迎】プロセスエンジニア ※世界最先端のビジネスに携われる/世界トップクラスの半導体製造装置メーカー

業務内容
【職務内容】 半導体製造装置、フラットパネルディスプレイ製造装置等のプロセス開発・要素開発および実験などの一連の業務を担当いただきます。 また、自社製品の性能評価、改善業務、お客さまのニーズを踏まえた装置性能の実証業務なども行います。 具体的には以下の工程に関わる装置を担当いただきますが、ご経験/ご希望に応じてアサインを決定いたします。 <担当装置> ※半導...
給与

年俸:400万円~1000万円

JOB ID: 42357非公開求人

半導体前工程プロセス/インテグレーションエンジニア(DRYエッチング、CVD/ALD成膜)

業務内容
当社の三次元フラッシュメモリの更なる高積層化実現のためのエッチング技術/成膜技術/基板接合技術開発、プロセスインテグレーション技術開発。半導体製造装置メーカーの窓口として、折衝/交渉や共同研究なども担当していただきます。 将来的には、若手エンジニアの育成や組織づくり、外部機関との共同研究推進など、中長期的な戦略策定にも携わっていただきます。
給与

年俸:400万円~1000万円

JOB ID: 34935ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社

募集職種一覧

業務内容
下記URLよりご覧いただき、ご興味のあるポジションを【3つまで】ご教示下さいませ。 https://js03.jposting.net/sonyck/u/sck/job.phtml <キャリア情報はこちらから> https://www.sony-semicon.co.jp/jobs/sck/
給与

年俸:450万円~900万円

JOB ID: 35495非公開求人

【ポスドク歓迎】シミュレーション技術の研究・開発/神奈川県・三重県/400万~1000万

業務内容
NAND型フラッシュメモリや新規メモリの開発に向けた、TCAD(Technology-CAD)をはじめとしたシミュレーション技術の研究開発。ご経験、ご志向に鑑み下記のいずれかをご担当いただきます。 ・シミュレーションツール(プロセス/デバイス/形状シミュレータ)、数値計算技術の研究/開発 ・新規デバイス/材料、及びプラズマ等を含むプロセスの現象/物理モデルの...
給与

年俸:400万円~1000万円

JOB ID: 32321非公開求人

技術職(研究・開発・設計)

業務内容
【研究、開発、設計】 自社製品の高精度化に向けた、研究、開発業務になります。 工作機械も、半導体製造装置も日々進化を遂げており、お客様のニーズに応じた製品改良、製品開発が主たる業務内容になります。 営業の方に同行してヒアリングするところから開発・納品まで、上流~下流全ての工程に携わっていただくような形になります。
給与

年俸:400万円~600万円

月額:22万円~27万円

JOB ID: 34307非公開求人

【物理・化学系ポスドク歓迎!】半導体製造装置のプロセス研究開発/宮城県/400万~1000万

業務内容
半導体製造装置のプロセス開発・検証業務。新規開発・既存装置の改善、改良を行う際の仕様検討からプロセス条件設定までを担当。 ハード・ソフト等のメンバーと一つのプロジェクトとして推進していきます。 次世代・次々世代に向けた化学・材料工学・物理学などに基づく基礎技術開発をおこないます。 エッチング装置はシリコンウェーハ上にプラズマの原理を利用し、非常に微細な回路線...
給与

年俸:400万円~1000万円

JOB ID: 42397非公開求人

ファームウェア/システム技術研究:先端メモリ・新規メモリを応用したストレージシステム

業務内容
・当社フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリを用いたコンピュータシステム、及びSSDアーキテクチャの研究開発。 ・データセンタ向けSSDアーキテクチャ、ネットワークストレージ及びストレージシステムの研究開発 ・深層学習のストレージシステムへの応用 ・次世代不揮発メモリを適用したコンピュータシステムの研究開発 ・SSDの高信頼性技術、大容量高速化技術の研究開発...
給与

年俸:400万円~1000万円

JOB ID: 34290非公開求人

通信用半導体レーザーのプロセスエンジニア/東京都/400万~600万

業務内容
電子線描画装置を用いたデモ描画・受託描画 装置メンテナンス(消耗品交換等) 顧客からの高度な描画に関する質問等への対応 描画プロセスの開発 装置性能改善への提案
給与

年俸:400万円~600万円

JOB ID: 33519非公開求人

通信用半導体レーザーの開発エンジニア

業務内容
・電子線描画装置の設計・開発 新規機種の開発及び既存機種の性能向上 装置全体を踏まえた上で以下項目の一つ以上を担当して頂く 電子光学系(シミュレーション等を用いた物理設計) 機械系(電子線鏡筒、ステージ、真空計等) 電気系(制御系、電子線鏡筒のアナログ回路、高圧電源等) ソフトウェア系(C言語、Linux等) ・各顧客・案件毎のカスタマイズ対応 ・装置トラブ...
給与

年俸:400万円~600万円

JOB ID: 33405非公開求人

通信用半導体レーザーの製造・サービスエンジニア

業務内容
・電子線描画装置の製造 各ユニット(電子光学系、真空排気系、ステージ系、電気制御系)の組立調整 各ユニットの接続・総合調整 装置性能検査・品質管理 ・電子線描画装置の保守・サービス 客先への装置据付 装置メンテナンス(消耗品交換等) 顧客問い合わせ・装置トラブル対応
給与

年俸:400万円~600万円

JOB ID: 33676非公開求人

プロセスエンジニア/宮城県/400万~1000万

業務内容
【職務内容】 半導体製造装置のプロセス開発・検証業務。新規開発・既存装置の改善、改良を行う際の仕様検討からプロセス条件設定までを担当。ハード・ソフト等のメンバーと一つのプロジェクトとして推進していきます。 エッチング装置はシリコンウェーハ上にプラズマの原理を利用し、非常に微細な回路線幅を加工します。ウェーハに反応するプラズマを発生させるガスの種類や、装置内の...
給与

年俸:400万円~1000万円

JOB ID: 42915非公開求人

【21キャリア】電子線検査装置画像処理アルゴリズム開発またはソフトウェア開発・設計

業務内容
・電子線検査装置の検査ソフトウエア開発・設計業務 (及び/または)電子線検査画像の画像処理、及び欠陥検出アルゴリズム開発業務
給与

年俸:400万円~700万円

JOB ID: 42914非公開求人

【21キャリア】エピタキシャル成長装置のプロセス開発、及びフィールド対応

業務内容
・エピタキシャル半導体製造装置開発の中で、実際にプロセスを(成膜)を行う ①シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法の開発 ②装置のメンテナンス、トラブル対応 ③プロセスに関する客先での装置立ち上げ、客先でのプロセス支援
給与

年俸:400万円~700万円

JOB ID: 42910非公開求人

【21キャリア】エピタキシャル成長装置のソフトエンジニア(半導体製造装置のSE)

業務内容
・半導体製造装置(エピタキシャル成長装置)のソフトウェアエンジニア(設計、プログラミング、コーディング、デバッグ)
給与

年俸:400万円~700万円

JOB ID: 42909非公開求人

【21キャリア】フィールドサービスエンジニア<岩手県北上>

業務内容
・電子ビームマスク描画装置の客先納入後の保守業務を行う ・装置の日常点検、定期点検、部品交換及びシステム調整、装置トラブルシューティングを行う ・サービスレポート作成から現場および、社内への報告を行う ・客先装置安定稼働と装置トラブルにおける対応に対し責任を負い、客先との日々密なコミュニケーションを取りながらCS向上を図る ・3~5年はFSEとしてスキル習得...
給与

年俸:400万円~700万円

JOB ID: 42908非公開求人

【21キャリア】カソード開発

業務内容
描画装置用カソードの機能・製造・運用方法の開発を行なっている。具体的には、シュミレーションによる設計、評価機を用いた性能評価やフィールドデータを解析することによる運用方法の最適化などが主な職務となる。
給与

年俸:400万円~700万円

JOB ID: 42907非公開求人

【21キャリア】調達(バイヤー)

業務内容
当社製品である電子ビームマスク描画装置・マスク検査装置・エピタキシャル成長装置に関する調達業務。調達先は国内外問わず、情報収集による新規開拓を含め、常にコストリダクションを意識した調達活動を推進していきます。
給与

年俸:400万円~700万円

JOB ID: 42906非公開求人

【21キャリア】エピタキシャル成長装置のIE/FSE(半導体製造装置のIE/FSE)

業務内容
・枚葉式エピタキシャル成長装置(Si/SiC/GaN)の組立、調整、検査および現地装置搬入、据付、立上作業全般 ・納入装置の現地フィールドサービス全般
給与

年俸:400万円~700万円

JOB ID: 42337非公開求人

先端プロセス技術開発(前工程)B

業務内容
◆当社フラッシュメモリの更なる微細化実現のための技術開発業務。 ・各ユニットプロセス技術開発:洗浄、成膜(スパッタリング)、リソグラフィ、エッチング、イオン注入、平坦化(CMP)、電極形成など ・プロセスインテグレーション技術 のいずれかを担当頂きます。 ※担当業務はご経験を踏まえ、面接を通じて決定。
給与

年俸:400万円~1000万円

JOB ID: 42354非公開求人

最先端材料・デバイス研究[C]

業務内容
・まだ実用化されていない新規の材料およびデバイスの研究開発。理論的・実験的な検証を通じ、製品化への道筋を探る業務。  論文を読んだり国際学会に参加して、最先端の技術情報を入手。社外研究機関とも連携しながらテーマを探索し、自ら手を動かして実験・計算を繰り返しつつ研究を進めて頂きます。論文や特許の執筆機会も多々あります。 ・先端材料・デバイスを、先端の分析機器で...
給与

年俸:400万円~1000万円